Procesos de recombinación, la energía de los portadores puede ser disipada por algunos de Recombinación y (3) recombinación a través de trampas de superficies. La banda de conducción a la banda de valencia, (2) recombinación a través de centros de La recuperación a lasĬondiciones de equilibrio puede ocurrir a través de distintos procesos: (1) recombinación de Regresar al equilibrio se define como el tiempo de vida (τ). Se retira el estímulo externo, la densidad de portadores en exceso decae y la concentraciónĭe portadores regresa al valor de equilibrio. Portadores en exceso debido a un estímulo externo rompe este equilibrio. Recombinación de pares electrón-hueco ocurren en el semiconductor. Los resultados para el Silicio y elĮn la Figura 1.6 se presentan los resultados para las movilidades como una función delĭopado del semiconductor para el Si y SiC -.Įn condición de equilibrio térmico, un continuo balance entre la generación y Pueden ser calculada como una función de la temperatura. Con los datosĪnteriores las movilidades de electrones y huecos como una función de la temperatura seĬon las expresiones dadas por (1.5) y (1.6), las movilidades para electrones y huecos Huecos se expresan como una función de la temperatura por medio de: Con los datos anteriores, las movilidades de electrones y Presentan una gran influencia en las características de corriente-voltaje, modulación deĬonductividad y conmutación del dispositivo. Importancia en el modelado de dispositivos semiconductores de potencia, los cuales La movilidad y las relaciones campo-velocidad, son dos de los parámetros de mayor Velocidad promedio de los portadores libres con el campo eléctrico desarrollado en el
La movilidad se define como la constante de proporcionalidad que relaciona la El dato anterior indica que la corriente de generación por cuerpo esĭespreciable para la determinación de las corrientes de saturación inversa en dispositivos en A temperatura ambiente (300ºK), laĬoncentración intrínseca para el Silicio es de 1.38x10 10 cm -3 mientras que para el SiC es de Intrínseca para el SiC es mas pequeña que para el Silicio debido a la gran diferencia en laĮnergía fundamental de la banda prohibida. Los resultados para el Silicio y el SiC son graficados en laĭe los resultados presentados en la Figura 1.4, se observa que la concentración Usando las expresiones dadas por (1.2) y (1.3), la n puede ser calculada como una iįunción de la temperatura. Para Carburo de Silicio en estructuras 4H: N C=1.23x10 19cm -3, N V=4.58x10 18cm -3 yĮ g=3.26eV, por lo que la concentración intrínseca como una función de la temperatura se Para el silicio, N C=2.80x10 19cm -3, N V=1.04x10 19cm -3 y E g=1.10eV, por lo que laĬoncentración intrínseca como una función de la temperatura se expresa por: Prohibida E g y por la densidad de estados de la banda de conducción N C y de valencia N V.ĭonde k es la constante de Boltzmann (1.38x10 -23 J/ºK) y T es la temperatura absoluta. La concentración intrínseca (n i) esta determinada por la generación térmica de paresĮlectrón-hueco que cruzan la región de banda prohibida de un semiconductor .Įl valor particular de n i puede ser calculado usando la energía fundamental de la banda Silicio para cada uno de las propuestas encontradas. A continuación se presenta un análisis comparativo entre el Silicio y el carburo de
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